2SK2876 时间：2025/8/9 8:22:08 阅读：30

2SK2876 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用。这款MOSFET以其优异的导通性能和快速开关特性著称，适用于各种电源管理和功率转换电路。2SK2876 采用先进的制造工艺，确保了其在高电压和高电流工作条件下的稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：600 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：15 A（在25°C时）
　　功耗（PD）：150 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（RDS(on)）：0.42 Ω（最大值，典型值0.33 Ω）
　　开启阈值电压（VGS(th)）：2 V 至 4 V
　　漏极-源极电容（Coss）：1200 pF（典型值）

特性

2SK2876 MOSFET具备多项高性能特性，首先其600V的漏极-源极击穿电压使其适用于高电压应用，能够承受较高的瞬态电压应力。其次，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率，同时减少了对散热器的需求。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET采用了高可靠性设计，具备良好的热稳定性，在高电流和高温度环境下仍能保持稳定工作。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热管理，也增强了机械强度和耐用性。2SK2876 还具有较强的抗雪崩能力，能够在过压或短路等极端条件下提供额外的保护，提高系统的整体稳定性。
　　由于其优异的电气性能和可靠性，2SK2876 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及各种工业和消费类电子产品中的功率管理电路。

应用

2SK2876 主要用于需要高电压和中等电流处理能力的功率电子系统。典型应用包括开关电源（如AC-DC适配器、DC-DC转换器）、电机驱动器、照明控制电路（如LED驱动器）、电池管理系统、逆变器和UPS（不间断电源）等。此外，它也常用于工业自动化设备、家用电器以及汽车电子系统中的功率开关控制。
　　在开关电源中，2SK2876 可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升电源效率，降低发热量。在电机控制应用中，该MOSFET可用于PWM（脉宽调制）控制，实现精确的电机速度和转矩调节。同时，由于其良好的抗瞬态电压能力，也适用于LED照明驱动电路中，以提供稳定的恒流输出。