时间：2025/8/9 1:44:07
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2SK2874-01S是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频和高功率应用。该器件采用小型表面贴装封装，便于在紧凑空间内进行高效功率管理。MOSFET的设计使其在导通状态下具有较低的导通电阻，并能在高电压和高电流条件下运行，适用于多种电源管理和开关电路。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：300mA
导通电阻(RDS(on))：1.2Ω（最大值，VGS=5V）
栅极电荷(Qg)：7.5nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23（SC-59）
2SK2874-01S具备低导通电阻的特性，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其设计支持快速开关操作，适用于高频应用，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在恶劣的工作环境中保持性能。MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的5V和10V驱动电路，提高了设计的灵活性。
该器件的封装形式为SOT-23（SC-59），是一种小型表面贴装封装，适用于自动贴片和回流焊工艺，降低了生产成本并提高了组装效率。同时，2SK2874-01S具有较高的可靠性，符合工业级质量标准，适用于各种高要求的应用场景。
2SK2874-01S广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理模块。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率电源转换和负载开关的理想选择。此外，它还可用于通信设备、工业控制系统和汽车电子系统中的功率管理部分。
2SK2874-01S的替代型号包括2SK2874、2SK2874-01和2SK2874-01L。
