时间：2025/8/9 12:05:24
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2SK2872是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产。这款晶体管适用于高频率开关应用和电源管理领域，具备良好的导通电阻和高电流承载能力，广泛用于DC-DC转换器、电池充电器和开关电源等电路中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
2SK2872具有低导通电阻，可以有效减少功率损耗，提高系统效率。该器件的高电流容量和良好的热稳定性使其在高负载条件下依然能够保持稳定的性能。
此外，2SK2872采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于紧凑型电源设计。其快速开关特性使其适合用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够在复杂电磁环境下稳定工作，适用于工业和汽车电子系统中的电源管理模块。
2SK2872广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、负载开关以及电机驱动电路。此外，它也可用于工业控制设备、汽车电子系统以及便携式电子设备中的功率管理部分。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRFZ44N
