时间：2025/8/9 12:08:33
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2SK2871-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，常用于高频开关应用和功率放大器设计中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高功率处理能力。该MOSFET适用于各种电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器以及音频放大器等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：1.75mΩ（典型值）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
2SK2871-01具备多项优异特性，包括低导通电阻、高电流容量和良好的热稳定性。其低Rds(on)值有助于减少导通损耗，提高系统效率，特别适用于高频率开关应用。该器件采用东芝专有的沟槽式结构，提高了电流密度，同时保持了较低的导通压降。
此外，2SK2871-01具有优异的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和稳定性。其封装设计有利于良好的散热性能，适用于高功率密度的设计要求。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与各种控制器或驱动IC配合使用。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
2SK2871-01广泛应用于多种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、功率放大器以及工业自动化设备中的开关电源模块。其优异的性能也使其适用于高保真音频放大器中的输出级设计，提供更高的效率和更低的失真率。
2SK3564, 2SK3916, IRFP4468PbF, SiR882DP-T1-GE3
