时间：2025/8/8 20:39:23
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2SK2849-01L是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于需要高效功率转换的应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高电流能力，从而在高频率开关应用中实现更低的功率损耗。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：30V
最大漏极电流（ID）：10A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（最大值，在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：16nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOP（表面贴装封装）
2SK2849-01L具有多项先进的性能特性，首先是其极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高能效。该器件采用了先进的沟槽技术，提高了器件的热稳定性和可靠性。此外，该MOSFET的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。其SOP封装设计不仅节省空间，还便于散热管理，适用于紧凑型电子设备。2SK2849-01L还具有良好的热阻性能，能在较高温度下稳定工作，确保系统的长期可靠性。
2SK2849-01L广泛应用于各类需要高效功率控制的电子设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, 2SK3019, IPB013N04NG
