2SK2832-01 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等电力电子系统中。该器件采用小型SOP(Small Outline Package)封装,具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,适用于高效率、小体积的电源设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):30V
最大漏极电流(ID):4A
导通电阻(RDS(on)):35mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压(VGS(th)):1.0V ~ 2.5V
最大功耗(PD):2W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOP-8
2SK2832-01 MOSFET具备多项优异特性,适用于高效率电源转换应用。其最大漏源电压为30V,最大漏极电流可达4A,能够满足中小功率电源系统的需求。导通电阻低至35mΩ(在VGS=10V条件下),有效降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。
该器件采用SOP-8封装,尺寸小巧,适合高密度PCB布局。同时具备良好的热稳定性和耐久性,确保在较高工作温度下仍能保持稳定性能。栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V,支持逻辑电平驱动,便于与数字控制电路(如MCU或PWM控制器)直接连接,简化了驱动电路设计。
此外,2SK2832-01具有较高的输入阻抗和快速开关特性,适合用于高频开关应用,如DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路等。其低导通损耗与快速恢复特性相结合,有助于提高电源系统的响应速度并减少能量损耗。
2SK2832-01广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
? 高频开关电源(SMPS)
? DC-DC升压/降压转换器
? 同步整流器
? 负载开关控制
? 马达驱动电路
? 电池管理系统(BMS)
? 数字电源和嵌入式系统中的功率控制部分
该器件的SOP-8封装形式特别适合对空间要求较高的便携式设备和模块化电源设计。
Si2302DS、FDN340P、2SK3019、AO3400A