2SK2829 时间：2025/9/22 18:13:58 阅读：6

2SK2829是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率功率转换场合。该器件采用先进的平面硅栅极工艺技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热稳定性等特点。2SK2829封装形式为SOT-223，这种小型化表面贴装封装不仅节省电路板空间，还具备良好的散热性能，适用于紧凑型高密度电子设备设计。由于其出色的电气特性和可靠性，2SK2829在消费类电子产品如笔记本电脑适配器、LCD电视电源模块及工业控制设备中得到了广泛应用。此外，该MOSFET能够承受较高的漏源电压，在额定工作条件下展现出优异的耐压能力和电流处理能力，确保系统运行的安全与稳定。器件的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，适合在较宽的环境温度范围内可靠工作。作为一款通用型功率MOSFET，2SK2829的设计注重能效提升与功耗降低，有助于满足现代电子设备对节能环保的需求。

参数

型号：2SK2829
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600 V
　　最大漏极电流（ID）：1.0 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：4.0 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　最大功耗（PD）：50 W
　　导通电阻（RDS(on) max）：7.5 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：35 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：15 pF @ VDS = 25 V
　　反向传输电容（Crss）：3.0 pF @ VDS = 25 V
　　开启延迟时间（td(on)）：15 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45 ns
　　上升时间（tr）：20 ns
　　下降时间（tf）：25 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：SOT-223

特性

2SK2829的核心特性之一是其高达600V的漏源击穿电压（BVDSS），使其非常适合用于离线式开关电源设计，尤其是在AC-DC转换器中作为主开关元件使用。这一高耐压能力允许器件在输入电压波动较大的环境中保持稳定运行，提高了系统的抗干扰能力和长期可靠性。同时，该MOSFET的导通电阻典型值仅为7.5Ω（在VGS=10V时），这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提升了整体能效并减少了散热需求。
　　另一个关键特性是其优化的栅极结构设计，采用了平面硅栅工艺，有效控制了寄生参数，增强了高频开关性能。较低的输入、输出和反馈电容（Ciss、Coss、Crss）意味着更小的驱动能量需求和更快的开关响应速度，有助于减少开关过程中的动态损耗，尤其在高频操作下表现突出。此外，该器件具备良好的热阻特性，SOT-223封装通过外露的散热片可以直接连接到PCB上的大面积铜箔进行高效散热，进一步提升了功率处理能力。
　　2SK2829还具备较强的抗雪崩能力，并且在栅源电压保护方面设计合理，±30V的最大栅源电压范围提供了足够的安全裕度，防止因驱动信号异常导致的器件损坏。其阈值电压范围（3.0~5.0V）适中，兼容标准逻辑电平驱动电路，便于与PWM控制器直接接口。综合这些特性，2SK2829在保证高性能的同时兼顾了易用性与鲁棒性，成为中小功率开关电源设计中的优选器件之一。

应用

2SK2829主要应用于需要高电压隔离与高效能量转换的小功率电源系统中。典型应用场景包括但不限于：液晶显示器（LCD）和LED电视的背光电源模块、笔记本电脑外部电源适配器、充电器（如手机、平板充电头）、家用电器中的辅助电源（standby power supply）、小型DC-DC变换器以及工业自动化设备中的隔离式电源单元。由于其SOT-223封装体积小巧且具备良好散热能力，特别适合于空间受限但要求一定功率密度的设计环境。
　　在反激式（Flyback）拓扑结构中，2SK2829常被用作初级侧开关管，负责将直流高压周期性地施加到变压器上以实现能量传递。其快速开关特性有助于提高电源的工作频率，从而减小磁性元件的尺寸和重量，实现更轻薄化的终端产品设计。此外，在待机电源或辅助绕组供电电路中，该器件可在低负载条件下维持高效率，符合能源之星（Energy Star）等节能认证标准的要求。
　　除了电源领域，2SK2829也可用于小型电机驱动电路或电磁阀控制等需要高速开关动作的场合。其稳定的电气参数和宽温工作范围使其能够在工业现场较为恶劣的电气与温度环境中长期运行。总体而言，2SK2829凭借其高耐压、低导通损耗和小型化封装优势，在多种嵌入式电力电子系统中发挥着重要作用。