时间：2025/8/8 23:58:02
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2SK2807-01L是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的开关应用中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻和优异的热性能，适用于电源管理和负载开关等场合。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(ON)）：8.5mΩ @ VGS=10V
栅极电压范围：-20V 至 +20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：100W
2SK2807-01L具有多项优异的电气和物理特性，使其在各种功率应用中表现出色。
首先，该MOSFET的最大漏源电压为30V，漏极电流可达100A，能够承受较高的功率负载，适合用于大电流开关电路中。其导通电阻为8.5mΩ，在VGS=10V时表现出极低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。
其次，该器件的栅极电压范围为-20V至+20V，具有良好的抗静电能力和稳定性，能够在不同的驱动条件下可靠运行。此外，其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛的环境条件，如工业控制、汽车电子和消费类电源设备。
该MOSFET采用TO-220封装形式，具有良好的散热能力，便于安装和维护。封装设计也保证了良好的机械强度和电气绝缘性能，提升了器件的耐用性和安全性。
综合来看，2SK2807-01L凭借其低导通电阻、高电流能力、宽温度范围和可靠的封装设计，成为一款适用于多种功率开关应用的理想选择。
2SK2807-01L广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
电源管理系统：如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。
工业控制设备：用于电机驱动、继电器替代和高功率开关控制。
汽车电子：用于车载电源管理、起停系统和LED照明控制。
消费电子产品：如笔记本电脑、台式机和高性能电源适配器中的功率转换电路。
此外，该器件也可用于逆变器、UPS（不间断电源）和太阳能光伏系统等需要高效功率开关的场合。
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"2SK2807",
"IRF1404",
"Si4410BDY",
"AO4404"
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