时间：2025/8/9 16:43:38
阅读：26
2SK2806-01是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各种高频开关电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（最大）
功率耗散（Pd）：134W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220AB
2SK2806-01具备多项优良特性，适用于高性能功率转换应用。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET具有高电流承载能力，支持高达50A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
此外，2SK2806-01的封装设计具有良好的热管理能力，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。其快速开关特性使得该器件在高频DC-DC转换器、同步整流和电机控制中表现出色，有助于提高系统响应速度和能效。
2SK2806-01广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高效率和快速开关特性，也常用于高功率LED驱动和电源管理模块。
2SK3084, IRFZ44N, Si4410DY
