时间：2025/9/3 10:40:16
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2N6163是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率放大电路中。这款晶体管具有高电流容量和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：250V
漏极电流（ID）：8A
栅极阈值电压（VGS(th)）：4V
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
2N6163的主要特性包括其高耐压能力和较大的漏极电流容量，使其适合用于高功率应用。其导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。2N6163的封装形式通常为TO-220，便于散热和安装。
该MOSFET的栅极阈值电压为4V，意味着在较低的栅极电压下即可实现导通状态，适合与多种驱动电路配合使用。其高开关速度和低开关损耗使其在开关电源和DC-DC转换器中表现出色。此外，2N6163的结构设计有助于减少寄生电容，从而降低高频工作时的开关损耗。
2N6163常用于电源管理电路，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，以提高能量转换效率。它也适用于功率放大器、电动机控制电路以及需要高电流和高电压的工业控制系统。此外，该器件还可用于电池充电器、逆变器以及其他高功率电子设备中，提供可靠的功率开关功能。
IRF840, 2N6164, IRF740
