2SK2796STR 时间：2025/9/7 18:09:43 阅读：26

2SK2796STR 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频率开关和功率放大电路中。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似封装），适用于需要高效率和小尺寸设计的应用场景。由于其优良的导通特性和高频响应能力，2SK2796STR常用于DC-DC转换器、负载开关、低电压逆变器和电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：约5Ω @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2SK2796STR MOSFET具有多项优异特性，适用于高频和低功耗应用。其最大漏源电压为20V，适合低电压电源管理系统的使用需求，例如便携式设备中的DC-DC转换器和负载开关电路。器件的最大连续漏极电流为100mA，足以应对小型电子设备中对电流需求不高的场景。
　　该MOSFET的导通电阻约为5Ω，在栅极电压为4.5V时表现出较低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，2SK2796STR采用SOT-23封装形式，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　其栅源电压范围为±12V，确保了在不同工作条件下的稳定性，并减少了栅极驱动电路设计的复杂性。器件的功率耗散为200mW，能够在有限的散热条件下保持稳定运行。此外，2SK2796STR的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，适应了多种工业和消费类电子设备的工作环境。
　　该MOSFET具备较高的开关速度，适合应用于高频开关电路中，如PWM控制和逆变器系统。同时，其低输入电容和快速响应时间也有助于减少开关损耗，提高系统的动态性能。

应用

2SK2796STR MOSFET主要应用于低电压功率管理系统和小型电子设备中。常见的应用包括便携式电子设备的DC-DC转换器，用于将电池电压转换为系统所需的稳定电压。此外，它也可用于负载开关电路，控制不同子系统的电源供应，以实现节能和延长电池寿命。
　　在通信设备中，2SK2796STR可用于射频（RF）信号切换和低噪声放大器的偏置控制。在传感器模块中，该器件可用于电源管理和信号路径切换，以优化系统的功耗和性能。
　　由于其高频响应特性，2SK2796STR也适用于低功率逆变器、LED驱动电路以及电池管理系统中的保护电路。在工业控制领域，该MOSFET可用于小型继电器替代方案，提供更可靠的开关功能。
　　另外，该器件还可用于音频放大器中的电源开关和保护电路，以防止过载和短路情况下的损坏。