2SK2796STR 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高频率开关和功率放大电路中。该器件采用小型表面贴装封装(如SOT-23或类似封装),适用于需要高效率和小尺寸设计的应用场景。由于其优良的导通特性和高频响应能力,2SK2796STR常用于DC-DC转换器、负载开关、低电压逆变器和电池管理系统等领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):20V
最大栅源电压(Vgs):±12V
最大连续漏极电流(Id):100mA
导通电阻(Rds(on)):约5Ω @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd):200mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:SOT-23
2SK2796STR MOSFET具有多项优异特性,适用于高频和低功耗应用。其最大漏源电压为20V,适合低电压电源管理系统的使用需求,例如便携式设备中的DC-DC转换器和负载开关电路。器件的最大连续漏极电流为100mA,足以应对小型电子设备中对电流需求不高的场景。
该MOSFET的导通电阻约为5Ω,在栅极电压为4.5V时表现出较低的功率损耗,从而提高了整体系统的效率。此外,2SK2796STR采用SOT-23封装形式,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
其栅源电压范围为±12V,确保了在不同工作条件下的稳定性,并减少了栅极驱动电路设计的复杂性。器件的功率耗散为200mW,能够在有限的散热条件下保持稳定运行。此外,2SK2796STR的工作温度范围宽广,从-55°C到+150°C,适应了多种工业和消费类电子设备的工作环境。
该MOSFET具备较高的开关速度,适合应用于高频开关电路中,如PWM控制和逆变器系统。同时,其低输入电容和快速响应时间也有助于减少开关损耗,提高系统的动态性能。
2SK2796STR MOSFET主要应用于低电压功率管理系统和小型电子设备中。常见的应用包括便携式电子设备的DC-DC转换器,用于将电池电压转换为系统所需的稳定电压。此外,它也可用于负载开关电路,控制不同子系统的电源供应,以实现节能和延长电池寿命。
在通信设备中,2SK2796STR可用于射频(RF)信号切换和低噪声放大器的偏置控制。在传感器模块中,该器件可用于电源管理和信号路径切换,以优化系统的功耗和性能。
由于其高频响应特性,2SK2796STR也适用于低功率逆变器、LED驱动电路以及电池管理系统中的保护电路。在工业控制领域,该MOSFET可用于小型继电器替代方案,提供更可靠的开关功能。
另外,该器件还可用于音频放大器中的电源开关和保护电路,以防止过载和短路情况下的损坏。
2SK2796STR的替代型号包括2SK2796、2SK2796S、2SK2796SL、2SK2796S-TB-E,以及一些具有类似电气特性的N沟道MOSFET,如2N3904(双极型晶体管,需注意驱动方式不同)或2SK302(类似电压和电流参数)