时间：2025/9/7 5:05:45
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2SK2795DX01UL 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等高效率开关应用中。该器件采用小型化的封装形式，具备优良的热稳定性和高频开关性能，适合在紧凑型电源设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：4.4A
功率耗散（PD）：1.25W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
2SK2795DX01UL MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等显著特点。其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下功耗最小，从而提高系统效率。该器件的栅极驱动电压兼容广泛，可在标准逻辑电压水平下运行，便于与各种控制器配合使用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，在高电流负载下仍能保持稳定的性能。其SOT-23封装设计不仅节省空间，还提高了PCB布局的灵活性，适用于便携式设备和小型化电源模块。
在制造工艺方面，2SK2795DX01UL采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，有效降低了导通损耗，并增强了器件的耐压能力。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺，符合现代电子产品对环保的要求。
2SK2795DX01UL MOSFET主要用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电源管理模块、手持设备电源控制以及小型电源适配器等应用中。由于其高效率和小尺寸特性，该器件特别适合用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各类低功耗嵌入式系统。此外，它还可用于工业控制系统、传感器模块和通信设备中的功率开关和稳压电路。
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"2SK3018",
"2SK2695",
"Si2302DS",
"AO3400A"
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