EMT18 时间：2025/7/1 1:07:22 阅读：8

EMT18是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高频和高效能的电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及高击穿电压等特性，适合于多种电子设备中的功率转换和控制应用。
　　EMT18的设计使得其在高温环境下也能保持稳定的性能，同时它的封装形式通常为TO-220或。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：12A
　　导通电阻：40mΩ
　　总功耗：75W
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃

特性

EMT18具有较低的导通电阻，能够减少功率损耗并提高系统效率。
　　该器件具备快速开关能力，适用于高频应用环境。
　　由于采用了先进的制造工艺，EMT18能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
　　此外，它还拥有较高的击穿电压，增强了对异常情况的耐受能力。
　　其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间，并且易于集成到各种设计中。

应用

EMT18主要应用于直流-直流转换器、电池管理模块、LED驱动电路、电机控制单元以及各类开关电源解决方案。
　　在消费电子产品领域，如笔记本电脑适配器和平板充电器中，也可以看到它的身影。
　　工业自动化设备中的电磁阀驱动、传感器接口等场景同样适用此型号。
　　另外，汽车电子系统里的一些负载切换功能也可能使用到EMT18。