时间：2025/8/9 16:47:46
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2SK2767-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理领域。这款MOSFET具备低导通电阻、高电流承载能力以及快速开关特性，适用于如电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业控制设备等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：150A
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.7mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
2SK2767-01具备多项高性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统效率。其次，该器件支持高达150A的连续漏极电流，能够满足高功率需求的应用场景。此外，2SK2767-01的漏源电压额定值为60V，使其能够稳定运行于中高压电源系统中。
该MOSFET采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。其栅源电压的最大额定值为20V，提供了更宽的驱动电压范围，同时具备较强的抗干扰能力。2SK2767-01的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于各种严苛环境条件下的稳定运行。
此外，该MOSFET具备快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，从而提升了整体系统的响应速度和效率。其设计还优化了热阻特性，使得器件在高温环境下仍能保持良好的性能。
2SK2767-01由于其高电流能力和低导通电阻，广泛应用于多种高功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业自动化设备以及汽车电子系统等。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的功率切换功能，从而提升整体系统的能效和稳定性。此外，2SK2767-01也常用于高功率负载控制电路中，例如电机驱动器和电源分配系统，以实现高效的电能管理。
SiHF150N60E、IRF1405、FDP150N60EF、IXTH150N60E
