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2SK2765-01 发布时间 时间:2025/7/22 20:35:49 查看 阅读:5

2SK2765-01 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,常用于高频电源转换和开关应用。这款MOSFET具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于DC-DC转换器、电源管理模块和各种高效率电源系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):6A
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:SOT-23
  导通电阻(Rds(on)):最大120mΩ(在Vgs=10V时)

特性

2SK2765-01 MOSFET采用了先进的沟槽式技术,具有低导通电阻和高开关速度,使其在高频应用中表现出色。该器件的封装形式为小型SOT-23,适合空间受限的设计。其高栅极绝缘性能确保了在高频率和高负载条件下的稳定性。
  此外,该MOSFET具有低栅极电荷特性,减少了开关损耗,适用于高效率的DC-DC转换器和负载开关应用。该器件的高耐压特性确保其在恶劣的电气环境下依然能够稳定工作。

应用

2SK2765-01 主要应用于便携式电子设备的电源管理电路、小型DC-DC转换器、电池供电设备、负载开关控制以及高频电源转换器。此外,它也广泛用于通信设备、工业控制系统和嵌入式系统的电源管理部分。

替代型号

2SK3018, 2SK2625, 2SK3437

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