时间：2025/8/9 9:59:00
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2SK2763-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关应用。该器件具有低导通电阻、高功率处理能力和良好的热稳定性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场合。该型号的封装形式为SOP（小外形封装），具有良好的焊接可靠性和空间节省设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大4A
漏源击穿电压（VDS）：30V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.055Ω（在VGS=10V时）
功耗（PD）：最大2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
2SK2763-01 MOSFET具有多项优良特性，包括低导通电阻（RDS(on)）以降低导通损耗，适用于高效能电源设计。该器件支持高达4A的连续漏极电流，能够在30V的工作电压下稳定运行，适用于多种中低功率应用场景。
此外，该MOSFET具备较强的热稳定性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内工作，适合工业级和车载电子设备使用。其SOP-8封装形式不仅节省空间，还提高了PCB布局的灵活性，适用于高密度电子设备。
栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V驱动电压，确保快速开关动作，减少开关损耗。同时，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的安全裕度，防止栅极过压损坏。
2SK2763-01 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制部分。由于其高效率和小尺寸特性，该器件也常用于便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能移动设备中的电源管理模块。
在工业自动化设备中，该MOSFET可用于控制继电器、传感器和执行器的电源开关，提供可靠的功率控制。此外，它也可用于LED照明驱动、电动工具和家用电器中的功率调节电路。
2SK3464, 2SK3018, FDS6680, Si4410BDY
