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2SK2763-01 发布时间 时间:2025/8/9 9:59:00 查看 阅读:27

2SK2763-01 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关应用。该器件具有低导通电阻、高功率处理能力和良好的热稳定性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场合。该型号的封装形式为SOP(小外形封装),具有良好的焊接可靠性和空间节省设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):最大4A
  漏源击穿电压(VDS):30V
  栅源击穿电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大0.055Ω(在VGS=10V时)
  功耗(PD):最大2W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOP-8

特性

2SK2763-01 MOSFET具有多项优良特性,包括低导通电阻(RDS(on))以降低导通损耗,适用于高效能电源设计。该器件支持高达4A的连续漏极电流,能够在30V的工作电压下稳定运行,适用于多种中低功率应用场景。
  此外,该MOSFET具备较强的热稳定性,能够在-55°C至150°C的宽温度范围内工作,适合工业级和车载电子设备使用。其SOP-8封装形式不仅节省空间,还提高了PCB布局的灵活性,适用于高密度电子设备。
  栅极驱动电压范围宽,支持常见的10V驱动电压,确保快速开关动作,减少开关损耗。同时,其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的安全裕度,防止栅极过压损坏。

应用

2SK2763-01 MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制部分。由于其高效率和小尺寸特性,该器件也常用于便携式电子产品,如笔记本电脑、平板电脑和智能移动设备中的电源管理模块。
  在工业自动化设备中,该MOSFET可用于控制继电器、传感器和执行器的电源开关,提供可靠的功率控制。此外,它也可用于LED照明驱动、电动工具和家用电器中的功率调节电路。

替代型号

2SK3464, 2SK3018, FDS6680, Si4410BDY

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