时间：2025/8/9 20:09:00
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2SK2761-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频率开关应用而设计。该器件采用小型表面贴装封装，适用于需要高效率和紧凑布局的电子设备。2SK2761-01MR以其快速开关特性和低导通电阻著称，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用。由于其优良的热稳定性和高频响应，这款MOSFET在消费电子、工业控制以及通信设备中广泛使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（最大值，Vgs=4.5V）
功率耗散：2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
频率响应：适用于高频开关操作
2SK2761-01MR 具有多个显著的电气和物理特性，使其在高性能开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功耗和高效能。其次，该MOSFET具有快速开关能力，能够支持高频操作，从而减少开关损耗并提高系统效率。此外，SOT-23封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理和机械稳定性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的3.3V至5V逻辑电平控制，便于与现代数字控制器集成。同时，其优异的热稳定性确保在高温环境下依然能够稳定运行。
2SK2761-01MR 还具有良好的抗静电能力，增强了器件在制造和使用过程中的可靠性。此外，其封装材料符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的应用场合。
2SK2761-01MR 主要应用于需要高效能、小型化设计的电子设备中。常见应用包括便携式电子产品中的电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、LED照明控制电路以及电池管理系统。在工业自动化设备中，该MOSFET可用于高频开关控制和功率调节。此外，它也广泛应用于通信设备中的电源模块和信号开关电路。
2SK3018, 2SK2625, 2SK3842
