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2SK2760-01 发布时间 时间:2025/8/8 21:07:21 查看 阅读:18

2SK2760-01是一种N沟道功率MOSFET,主要用于高频开关和功率放大应用。这款器件由东芝(Toshiba)制造,采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供了较低的导通电阻和快速的开关特性。2SK2760-01通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种高效率功率电子系统中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大值为0.018Ω(在Vgs=10V)
  功率耗散(Pd):60W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220
  漏极电容(Coss):约1100pF
  开关时间:导通时间约13ns,关断时间约30ns

特性

2SK2760-01具有多项高性能特性,使其在功率MOSFET市场中占据重要地位。首先,其低导通电阻(Rds(on))可以显著减少导通损耗,提高整体系统的效率。其次,该器件采用了先进的沟槽式结构,使得MOSFET在高频率下具有更好的性能,适用于高频开关应用。
  此外,2SK2760-01的封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,能够承受较高的功率耗散。其最大功率耗散为60W,适合中高功率应用。同时,器件支持±20V的栅源电压,具有较强的栅极驱动能力,可确保快速开关操作。
  该MOSFET的开关速度快,导通时间约为13ns,关断时间约为30ns,这使其在高频率DC-DC转换器、同步整流器和PWM控制电路中表现出色。另外,其漏极电容(Coss)约为1100pF,有助于减少高频下的开关损耗。
  在可靠性方面,2SK2760-01的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种恶劣环境条件。其高热稳定性和良好的耐压能力也使其在汽车电子、工业控制和电源系统中广泛使用。

应用

2SK2760-01广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. **电源管理**:用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,提供高效率的功率转换。
  2. **电机控制**:用于H桥电路和电机驱动系统,实现高效、快速的电机控制。
  3. **电池管理系统**:用于充放电控制、电池保护电路等,确保电池安全运行。
  4. **工业自动化**:用于PLC、伺服驱动器、变频器等工业控制系统中,提供稳定的功率输出。
  5. **消费类电子产品**:如高功率LED驱动、笔记本电脑电源适配器等。
  6. **汽车电子**:用于车载电源系统、电动车窗控制、车载充电器等。

替代型号

2SK2760-01的替代型号包括:2SK2647、2SK2696、2SK2896、SiHH10N60EF、IRFZ44N

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