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L8050HRLT3G 发布时间 时间:2025/7/22 19:12:08 查看 阅读:6

L8050HRLT3G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的NPN型双极性晶体管(BJT),属于标准的通用晶体管系列。该晶体管广泛应用于开关和放大电路中,尤其适用于需要中等功率处理能力的场景。L8050HRLT3G具有良好的热稳定性和可靠性,采用SOT-23封装,适合表面贴装工艺。

参数

类型:NPN双极性晶体管
  最大集电极电流(Ic):150mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Pd):300mW
  最大工作温度:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-23
  电流增益(hFE):110 - 800(根据等级不同)
  过渡频率(fT):100MHz

特性

L8050HRLT3G晶体管具备多项优良的电气特性,适合广泛的应用场景。其NPN结构使其在放大和开关应用中表现出色。该晶体管的最大集电极电流为150mA,能够满足中等功率需求,而最大电压额定值为30V,适用于多种电源管理电路。
  电流增益(hFE)范围从110到800,根据不同的等级划分,用户可以根据具体的设计需求选择合适的晶体管。过渡频率(fT)为100MHz,使得该器件在高频放大电路中也能保持良好的性能。
  采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,并且具有良好的热稳定性和可靠性,适合在恶劣环境中工作。L8050HRLT3G的工作温度范围为-55°C至150°C,适应宽温度范围的应用需求。
  此外,L8050HRLT3G的功耗为300mW,保证了在正常工作条件下的稳定运行,同时减少了对额外散热措施的需求。

应用

L8050HRLT3G晶体管广泛应用于各类电子设备中,主要用于开关和放大电路设计。常见的应用包括音频放大器、数字逻辑电路、驱动继电器或LED显示屏等负载的开关控制电路。由于其良好的高频特性,该晶体管也常用于射频(RF)前端电路中的信号放大。
  在工业控制和自动化系统中,L8050HRLT3G可用于驱动小型马达、传感器和执行器等外围设备。此外,在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中,该晶体管可作为信号处理和电源管理电路的关键元件。
  在汽车电子系统中,L8050HRLT3G也可用于车灯控制、车载娱乐系统和传感器信号处理等场合。由于其宽工作温度范围和高可靠性,特别适合汽车和工业环境中的应用。

替代型号

MMBT3904LT1G, 2N3904, BC847, 2SC2222