2SK2759 时间：2025/8/9 15:06:21 阅读：33

2SK2759 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及各种需要高功率密度的电子系统中。2SK2759采用先进的沟槽式工艺制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，使其在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：480A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大3.5mΩ（在Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

2SK2759 的最大特点之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。它在Vgs=10V时Rds(on)最大为3.5mΩ，这种低电阻特性使其在大电流应用中尤为适用。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和可靠性。此外，它还具有快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　2SK2759具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达120A，脉冲电流可达480A，这使其非常适合用于高功率密度设计，如服务器电源、通信电源、电池管理系统和电机驱动器等。
　　该器件采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理和散热性能，能够有效降低工作温度，提高系统的长期可靠性。同时，该封装形式也便于自动化生产和PCB布局。
　　2SK2759的工作温度范围宽广，从-55℃到+150℃，可在各种恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、通信设备、汽车电子等多个领域。

应用

2SK2759 主要用于高功率、高频开关的电源系统中，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、不间断电源（UPS）等。其高电流容量和低导通电阻使其在需要高效能和低发热的应用中表现尤为出色。此外，该MOSFET也适用于需要快速开关响应的数字电源控制和节能照明系统。由于其良好的热性能和表面贴装封装，2SK2759特别适合用于高密度PCB设计和自动化生产流程。