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2SK2729 发布时间 时间:2025/12/26 20:01:21 查看 阅读:29

2SK2729是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率管理的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点,适合在高频率和高效率要求的应用场景中使用。2SK2729封装形式为SOP(Small Outline Package),这种小型化封装不仅节省电路板空间,还具备良好的散热性能,适用于紧凑型电子产品设计。由于其出色的电气特性和可靠性,2SK2729被广泛用于消费类电子产品如笔记本电脑适配器、液晶电视电源模块、LED驱动电源以及工业控制设备中的功率开关电路。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造的需求。作为一款通用型功率MOSFET,2SK2729在设计上注重平衡导通损耗与开关损耗,从而实现整体系统效率的优化。

参数

型号:2SK2729
  极性:N沟道
  漏源电压VDS:30V
  栅源电压VGS:±20V
  连续漏极电流ID:11A
  脉冲漏极电流IDM:44A
  导通电阻RDS(ON):8.5mΩ(@ VGS=10V, ID=5.5A)
  阈值电压Vth:1.0V ~ 2.5V
  输入电容Ciss:1200pF(@ VDS=15V)
  输出电容Coss:400pF(@ VDS=15V)
  反向传输电容Crss:100pF(@ VDS=15V)
  功耗PD:2.5W(TC=25℃)
  工作结温范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:SOP-8

特性

2SK2729具备多项优异的电气和物理特性,使其成为高性能电源管理系统中的理想选择。首先,其低导通电阻RDS(ON)仅为8.5mΩ,在高电流负载条件下能够显著降低导通损耗,提高电源转换效率,减少发热问题。这对于追求节能与小型化的现代电子设备至关重要。其次,该器件采用了先进的硅栅极平面工艺,确保了稳定的阈值电压控制和良好的跨导特性,使得在不同工作条件下仍能保持一致的开关行为。此外,2SK2729具有较高的栅极耐压能力(±20V),增强了对异常电压瞬变的抵抗能力,提升了系统运行的可靠性。
  另一个关键优势是其快速的开关响应能力。由于输入电容Ciss为1200pF,输出电容Coss为400pF,且反向传输电容Crss较低(约100pF),这使得器件在高频开关应用中表现出色,减少了开关延迟和能量损耗。同时,较低的寄生电容也有助于抑制噪声干扰,提升整体电磁兼容性(EMC)。该MOSFET还具备良好的热稳定性,最大结温可达+150℃,配合适当的PCB布局和散热设计,可在高温环境下长期稳定运行。
  SOP-8封装不仅体积小巧,便于自动化贴装,而且引脚排列合理,有利于简化PCB布线。封装底部通常带有散热片,可通过焊接到地层实现有效散热,进一步提升功率处理能力。此外,2SK2729符合国际环保标准,支持无铅回流焊工艺,适应现代绿色制造趋势。综合来看,这些特性使其在便携式设备、电池管理系统、电机驱动及各类DC-DC变换器中表现出卓越的性能和可靠性。

应用

2SK2729主要应用于各类需要高效能功率开关的电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS),特别是在低电压大电流输出的AC-DC适配器和DC-DC降压转换器中,作为同步整流或主开关元件使用,以提升整体转换效率。在笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理单元中,该器件可用于电池充电回路或负载切换控制,因其低导通电阻可有效减少能量损耗,延长续航时间。此外,在LED照明驱动电路中,2SK2729常用于恒流调节或PWM调光开关,提供精确的电流控制和快速响应能力。
  工业控制领域也是其重要应用方向之一,例如在PLC(可编程逻辑控制器)、传感器供电模块或小型电机驱动电路中,作为功率开关实现负载的通断控制。由于其具备良好的抗噪能力和温度稳定性,适用于较为严苛的工业环境。在通信设备中,如路由器、交换机的板载电源系统中,2SK2729可用于多相供电架构中的下桥臂或上桥臂开关,支持高频率操作,满足现代高速数字电路对电源动态响应的要求。
  此外,该器件还可用于汽车电子中的辅助电源系统,例如车载信息娱乐系统的DC-DC转换器或车身控制模块中的电源开关,尽管其30V耐压限制了在更高电压母线系统中的使用,但在12V车载系统中仍具竞争力。总之,凭借其高效率、小尺寸和高可靠性,2SK2729在消费电子、工业电子和通信设备等多个领域均有广泛应用。

替代型号

TK2060K3L,RJK03B3DPB,SZ2SK2729

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