2SK2696 时间：2025/12/29 15:05:14 阅读：11

2SK2696 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效功率管理的场合。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于高效率、小体积的电源系统设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　功耗（PD）：150W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、TO-247等

特性

2SK2696 MOSFET具有出色的电性能和热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其高耐压特性（600V）使其适用于高电压输入的电源系统，如AC-DC电源适配器、工业电源等。此外，该器件的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。其快速开关能力也减少了开关过程中的能量损耗，进一步提升了整体性能。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有良好的短路耐受能力，适用于高可靠性要求的应用场景。此外，其±30V的栅极电压耐受能力提高了在复杂电路环境下的稳定性，降低了栅极驱动电路的设计难度。
　　由于其优异的热性能和封装设计（如TO-247可提供更好的散热性能），2SK2696可以在高功率密度设计中可靠运行。这使得它成为许多开关电源、马达控制、照明系统和逆变器应用的理想选择。

应用

2SK2696 主要用于中高功率的电源管理系统，包括但不限于：AC-DC开关电源、DC-DC转换器、LED驱动器、电机驱动电路、高频逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备电源模块等。其高耐压和低导通电阻特性使其在桥式电路和高频开关应用中表现出色。此外，该MOSFET也常用于太阳能逆变器、电动车充电器和变频家电中的功率控制模块。