时间：2025/8/9 8:06:23
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2SK2695-01 是一款由东芝（Toshiba）公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽式栅极技术，以提供卓越的导通性能和低开关损耗。2SK2695-01 采用SOT-23封装，适合用于小型化设计和高密度电路板布局。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：200mA
最大耗散功率(Pd)：200mW
导通电阻(Rds(on))：约3.5Ω @Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
2SK2695-01 MOSFET具有多项优势和高性能特性。首先，其低导通电阻可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率，这在电池供电设备和节能型电源系统中尤为重要。其次，该器件的栅极电荷量较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而实现高频开关操作。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。SOT-23封装形式不仅体积小巧，还提供了良好的散热性能，使其适用于紧凑型电子设备。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可以在4.5V至10V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。
在可靠性方面，2SK2695-01具有较高的耐用性和长寿命，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，适合在工业控制、通信设备和消费类电子产品中使用。同时，其低漏电流特性确保在关闭状态下具有极低的静态功耗，有助于提高系统的整体能效。
2SK2695-01广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路、LED驱动器、电池管理系统以及便携式电子设备中的电源管理模块。由于其高频响应和低功耗特性，该MOSFET也常用于音频放大器和模拟信号切换电路中。在工业自动化、智能家电、通信基础设施等领域，该器件同样可以作为功率开关使用，满足高效、高可靠性的设计需求。
2SK2694-01, 2SK3018, 2N7002, BSS138
