您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SK2695-01

2SK2695-01 发布时间 时间:2025/8/9 8:06:23 查看 阅读:25

2SK2695-01 是一款由东芝(Toshiba)公司制造的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽式栅极技术,以提供卓越的导通性能和低开关损耗。2SK2695-01 采用SOT-23封装,适合用于小型化设计和高密度电路板布局。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):200mA
  最大耗散功率(Pd):200mW
  导通电阻(Rds(on)):约3.5Ω @Vgs=4.5V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

2SK2695-01 MOSFET具有多项优势和高性能特性。首先,其低导通电阻可以显著降低导通损耗,提高电源转换效率,这在电池供电设备和节能型电源系统中尤为重要。其次,该器件的栅极电荷量较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,从而实现高频开关操作。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。SOT-23封装形式不仅体积小巧,还提供了良好的散热性能,使其适用于紧凑型电子设备。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽,可以在4.5V至10V之间正常工作,兼容多种驱动电路设计。
  在可靠性方面,2SK2695-01具有较高的耐用性和长寿命,能够承受一定的过载和瞬态电压冲击,适合在工业控制、通信设备和消费类电子产品中使用。同时,其低漏电流特性确保在关闭状态下具有极低的静态功耗,有助于提高系统的整体能效。

应用

2SK2695-01广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路、LED驱动器、电池管理系统以及便携式电子设备中的电源管理模块。由于其高频响应和低功耗特性,该MOSFET也常用于音频放大器和模拟信号切换电路中。在工业自动化、智能家电、通信基础设施等领域,该器件同样可以作为功率开关使用,满足高效、高可靠性的设计需求。

替代型号

2SK2694-01, 2SK3018, 2N7002, BSS138

2SK2695-01推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2SK2695-01资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载