2SK2691 时间：2025/8/9 10:01:33 阅读：34

2SK2691是一种N沟道增强型功率MOSFET，由东芝（Toshiba）公司制造。该器件广泛应用于电源管理和开关电路中，适用于高频率、高效率的电力转换场景。由于其出色的电气特性和热稳定性，2SK2691常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等应用中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：连续：4.5A，脉冲：18A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为180mΩ（典型值可能更低）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23或类似的小型表面贴装封装
　　栅极电荷（Qg）：约12nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：约380pF
　　漏源击穿电压（BVDSS）：60V

特性

2SK2691是一款高性能的功率MOSFET，具有多个显著的电气和热特性。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）使得在高电流下功耗更低，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件的最大漏源电压为60V，适合中等电压应用，并且具备良好的击穿电压稳定性。
　　此外，2SK2691的封装形式通常为SOT-23，这种小型表面贴装封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理和机械稳定性，适合高密度PCB设计。该器件的栅极电荷（Qg）较低，意味着在开关过程中所需的驱动功率较小，从而提高了高频操作的性能。
　　在可靠性方面，2SK2691的工作温度范围宽广，从-55°C到150°C，使其适用于多种工业环境。同时，其脉冲漏极电流可达18A，为短时间高负载操作提供了额外的安全裕度。这些特性使得2SK2691在电源管理和开关应用中表现优异，能够在高频率和高效率条件下稳定运行。

应用

2SK2691主要应用于各种电源管理和开关电路中。例如，在DC-DC转换器中，它可以用作高侧或低侧开关，实现高效的能量转换。其低导通电阻和高开关速度使其非常适合用于同步整流器、负载开关和电机驱动电路。
　　此外，2SK2691还可用于电池管理系统，如便携式电子设备中的充放电控制电路，确保电池的安全和高效使用。在电源管理IC（PMIC）中，该器件可以作为高效率的开关元件，用于调节和分配电力。
　　在工业控制领域，2SK2691可用于驱动继电器、传感器和执行器等负载，提供快速和可靠的开关功能。其高频率操作能力使其在高频逆变器和电源调节电路中表现出色。总之，2SK2691适用于需要高效率、高频率和可靠性的各种电力电子应用。