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2SK2690-01 发布时间 时间:2025/8/9 14:14:23 查看 阅读:20

2SK2690-01 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率控制电路中。该器件具有较低的导通电阻(RDS(on)),可提供较高的电流处理能力和较低的功率损耗,适合中高功率的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  封装形式:SOT-23
  最大漏极电流(ID):100mA
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约5Ω(典型值)
  功耗(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

2SK2690-01 MOSFET具有优异的开关性能和稳定性,适用于各种高频开关应用。其低导通电阻特性可以显著降低在导通状态下的功率损耗,从而提高整体系统的效率。此外,该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在较高温度环境下稳定工作。
  该MOSFET采用SOT-23小型封装,体积小巧,便于在空间受限的PCB设计中使用,同时具备较好的散热性能。栅极驱动电压范围较宽(±20V),便于与不同类型的驱动电路兼容。此外,其具备较高的击穿电压(VDS为100V),可在较高电压环境下稳定工作,适用于多种电源管理应用。
  由于其良好的性能参数,2SK2690-01被广泛用于小型电源模块、继电器驱动电路、LED照明控制、微电机控制及便携式电子设备的电源管理部分。该器件的高可靠性和稳定的电气特性,使其成为许多中低功率应用中的首选MOSFET。

应用

2SK2690-01广泛应用于以下领域:
  1. 电源管理系统,如小型开关电源、DC-DC转换器;
  2. 负载开关与继电器驱动电路;
  3. 电池供电设备中的电源管理单元;
  4. LED照明系统的开关控制;
  5. 微电机、电磁阀等小型负载的驱动控制;
  6. 工业自动化控制设备中的信号与功率切换模块。

替代型号

2SK3018, 2SK2141, 2N7002

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