时间：2025/8/8 22:39:09
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2SK2688-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高频率、高效率的应用中。该器件采用先进的平面条形工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式为TO-220AB，便于散热和安装。该MOSFET适用于中高功率等级的电路设计，具备良好的耐压和电流承受能力。
类型：N沟道
最大漏极电流：12A
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±30V
导通电阻：0.35Ω（典型值）
功率耗散：50W
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装类型：TO-220AB
2SK2688-01 的主要特性包括优异的导通性能和开关特性，使其适用于多种高效率功率转换电路。
首先，其导通电阻仅为0.35Ω，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有较高的最大漏极电流（12A）和耐压能力（600V），能够应对大功率需求的应用场景。
其次，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，增强了与不同驱动电路的兼容性。其TO-220AB封装形式具有良好的散热性能，有助于在高功率条件下保持稳定工作温度，从而提升器件的可靠性和寿命。
另外，2SK2688-01 具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。其平面条形结构设计也有助于提高电流密度，减少热阻，进一步优化器件的性能。
总体而言，这款MOSFET以其低导通电阻、高耐压、良好的热性能和高可靠性，成为工业电源、照明设备、电机控制以及消费类电子产品中常用的功率开关器件。
2SK2688-01 适用于多种功率电子系统，主要包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动电路、照明控制系统（如LED驱动电源）以及各种高效率电源模块。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它也常用于需要频繁开关操作的工业自动化设备和消费电子产品中。
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