时间：2025/9/14 17:17:35
阅读：23
BUK7618-55,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于需要高效功率管理的应用场景。其主要功能是在电源开关、负载切换和功率控制电路中作为高效率的电子开关使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：55V
漏极电流（ID）：100A（最大值）
导通电阻（RDS(on)）：最大8.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
功耗（Ptot）：125W
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK7618-55,118具有多项优异特性，使其在功率MOSFET中具有较高的竞争力。首先，其导通电阻（RDS(on)）非常低，典型值仅为8.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其次，该器件采用TrenchMOS技术，能够提供更高的电流密度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，BUK7618-55,118的封装形式为TO-220AB，这种封装不仅具备良好的散热性能，还广泛应用于工业级功率电子设备中，便于安装和散热设计。其额定漏极电流高达100A，支持在高负载条件下稳定运行。同时，该器件具备较高的热稳定性和耐久性，可在极端温度条件下（-55°C至175°C）正常工作。
在栅极驱动方面，BUK7618-55,118的栅极阈值电压范围为2V至4V，使其兼容多种控制电路（如微控制器、PWM控制器等），并能够通过较低的驱动电压实现高效的开关控制。该器件的功耗（Ptot）为125W，支持长时间高功率运行，而不至于因过热而损坏。
BUK7618-55,118广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适用于需要高效能、高电流处理能力的场合。常见应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和电动车辆（EV）相关电子系统。
在电源管理方面，该MOSFET可用于高效率的开关电源（SMPS）中，作为主开关或同步整流器，提升整体能效。在电机控制和驱动电路中，BUK7618-55,118能够有效控制大功率直流电机，适用于工业机器人、自动化生产线和电动工具等领域。此外，在电池管理系统中，它常用于电池充放电控制和保护电路，以确保电池组的安全运行。
由于其高可靠性和优异的热性能，BUK7618-55,118也常用于汽车电子系统，例如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）和DC-AC逆变器等。在这些应用中，它能够承受较大的工作电流和频繁的开关操作，保证系统的稳定性和安全性。
IPD180P04P4-03, FDP100N55NSD, STP100N55FZ
