时间：2025/8/9 5:20:25
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2SK2687是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等高功率场合。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高频率下工作，同时保持较低的开关损耗，适用于高效能电源设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值，VGS=10V）
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247（单片封装）
2SK2687 MOSFET具有多项优异的电气性能和物理特性，使其成为高功率应用中的理想选择。
首先，该器件具备非常低的导通电阻（Rds(on)），通常在2.7mΩ左右，能够在高电流负载下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的能效。
其次，2SK2687采用先进的沟槽式MOSFET技术，提升了器件的开关速度和频率响应，使其适用于高频开关电源设计。该器件在高频工作时仍能保持良好的热稳定性和可靠性。
此外，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压最大可达60V，适用于中高功率的DC-DC转换器和同步整流电路。其栅极电压范围为±20V，允许使用标准驱动器进行控制，提高了设计的灵活性。
2SK2687还具有良好的热管理性能，其封装采用TO-247形式，能够有效散热，适用于高功率密度应用。在持续工作条件下，器件能够在较高的环境温度下稳定运行。
最后，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，从而提高了系统的可靠性和耐用性。
2SK2687由于其高电流容量和低导通电阻，常用于各种高功率电子设备中。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可用于主开关或同步整流部分，以提高转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中，2SK2687可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，适用于服务器电源、通信设备和工业控制电源等应用。此外，该MOSFET也广泛用于电机驱动、电池管理系统（BMS）以及负载开关电路中，能够有效地控制高电流负载的通断。在电动汽车和储能系统中，2SK2687可用于功率变换模块，以实现高效的能量传输和管理。
SiR178DP-T1-GE3, IRF1404, FDP150N60FM
