2SK2682 时间：2025/12/26 20:53:49 阅读：27

2SK2682是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率和快速开关特性的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于高密度电源设计。2SK2682封装形式为SOP小外形封装或类似的表面贴装封装，有助于节省PCB空间并提升系统集成度。该MOSFET特别适合用于笔记本电脑、LCD电视、通信设备和便携式电子产品中的电源管理系统。
　　作为一款增强型场效应晶体管，2SK2682在栅极施加正电压时导通，源极与漏极之间形成导电沟道。其设计优化了开关损耗与导通损耗之间的平衡，能够在高频工作条件下保持较高的整体效率。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，提高了在瞬态过压情况下的可靠性。制造商提供了详细的技术规格书，包括最大额定值、电气特性曲线以及推荐的PCB布局建议，以帮助工程师进行可靠的设计。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压VDS：150V
　　漏极电流Id（连续）：3.6A
　　漏极电流Idm（脉冲）：14A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：75mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：95mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压Vth：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：510pF @ VDS=25V
　　输出电容Coss：110pF @ VDS=25V
　　反向传输电容Crss：14pF @ VDS=25V
　　开启延迟时间td(on)：10ns
　　关断延迟时间td(off)：35ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP Advance

特性

2SK2682的核心特性之一是其低导通电阻RDS(on)，典型值仅为75mΩ（在VGS=10V条件下），这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提升了电源系统的整体能效。这对于电池供电设备尤其重要，因为它可以延长续航时间并减少发热。即使在较低的栅极驱动电压下（如4.5V），其RDS(on)仍保持在95mΩ的较低水平，表明该器件对驱动电路的要求较为宽松，兼容多种逻辑电平信号源。这种宽泛的驱动适应性使其可用于由PWM控制器直接驱动的应用场景。
　　另一个关键特性是其高击穿电压能力，漏源击穿电压V(BR)DSS高达150V，意味着该MOSFET能够安全地用于12V、24V甚至更高母线电压的开关电源拓扑中，例如反激式（Flyback）、正激式（Forward）或LLC谐振转换器。结合其良好的体二极管反向恢复特性，2SK2682在复杂开关环境中表现出较强的鲁棒性。同时，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），有助于减少开关过程中的驱动损耗和电压振荡，从而实现更快的开关速度和更高的工作频率，进一步缩小外围无源元件的尺寸。
　　热性能方面，2SK2682采用了优化的封装设计，具备良好的热传导路径，能够在有限的散热条件下稳定运行。其最大结温可达+150°C，并支持在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和消费类应用场景。内置的静电放电（ESD）保护结构也增强了器件在装配和使用过程中的可靠性。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。

应用

2SK2682主要用于各类中低压直流电源转换系统中，尤其是在空间受限且要求高效率的场合。常见应用包括笔记本电脑适配器、液晶显示器（LCD）背光电源、机顶盒电源模块、小型打印机和扫描仪的内部供电单元。由于其SOP表面贴装封装形式，非常适合自动化贴片生产，有利于提高生产效率和产品一致性。
　　在DC-DC降压（Buck）转换器中，2SK2682常被用作同步整流开关管，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率。同样，在升压（Boost）或反激式（Flyback）拓扑中，它也可作为主开关器件使用，配合控制器实现稳定的电压输出。此外，该器件还适用于电机驱动电路、LED恒流驱动电源以及电池充电管理模块等需要精确控制电流流向的系统。
　　在通信设备领域，2SK2682可用于隔离式电源模块的次级侧同步整流，提升整体电源效率。其快速开关能力和低电磁干扰（EMI）特性也有助于满足严格的EMC认证要求。对于需要待机低功耗设计的产品，该MOSFET的低静态电流和高开关精度使其成为理想的候选器件。总之，凭借其优异的电气性能和紧凑的封装，2SK2682在现代高效能、小型化电源设计中发挥着重要作用。