2SK2676 时间：2025/9/12 12:51:09 阅读：17

2SK2676是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司生产。该器件设计用于高电流和高功率应用，具备良好的导通特性和低导通电阻，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类高功率电子设备。2SK2676采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高工作温度下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：50A
　　最大功耗（Pd）：150W
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.018Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK2676的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性。其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于需要高效能转换的电源设计。此外，该器件具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗并提高响应能力，适合用于高频开关应用。2SK2676的TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的散热性能，使得器件能够在高负载条件下长时间稳定运行。
　　该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护作用。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至10V之间实现良好的导通控制，兼容多种驱动电路设计。此外，2SK2676的制造工艺确保了器件的一致性和可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

2SK2676广泛应用于多种高功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具驱动电路、工业自动化设备、电源模块以及LED照明驱动系统等。由于其高效率和良好的热管理性能，该器件也常用于电动车、电动自行车的电机控制器中，作为主功率开关使用。此外，在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）及高功率音频放大器中也有广泛应用。