2SK2652-01R 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,适用于高频和高效率电源应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和高效率电源设备。该MOSFET封装为SOP(小外形封装),适合表面贴装,便于自动化生产。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):1.5A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(ON)):1.2Ω @ VGS=10V
导通阈值电压(VGS(th)):1.0V ~ 2.5V
耗散功率(PD):200mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:SOP8
2SK2652-01R MOSFET采用了东芝的先进沟槽结构,有效降低了导通电阻,从而减少了功率损耗并提高了整体效率。其低RDS(ON)特性使其在负载开关和小型DC-DC转换器中表现优异。此外,该器件具有快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高电源系统的整体效率。该MOSFET的SOP8封装形式不仅节省空间,还提供了良好的热管理性能,确保在高负载条件下也能稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽(1.0V至2.5V),使得该器件可以与多种控制器或驱动IC兼容。此外,2SK2652-01R具有良好的抗静电能力,增强了器件在实际应用中的可靠性。
在设计方面,该MOSFET特别适用于需要小型化和高效能的便携式电子产品、电池供电设备以及小型电源模块。由于其低功耗特性和高集成度,能够有效延长电池寿命并减少系统发热量。
2SK2652-01R MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中的负载开关和电源管理模块;小型DC-DC转换器和同步整流器;电池管理系统(BMS)中的开关元件;工业控制设备中的信号切换和电源调节电路;以及LED照明驱动电路中的高效开关元件。此外,该器件也常用于电源管理IC的配套开关元件,适用于需要高效、小型化设计的各类电子系统。
2SK3019, 2SK3429, Si2302DS, FDMS3610