型号：2SK2649
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65 Ω（Vgs = 10 V, Id = 3.5 A）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值1050 pF（Vds = 25 V, Vgs = 0 V, f = 1 MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值400 pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值60 pF
　　二极管正向压降（Vsd）：1.5 V（典型值）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220/TO-220F

2SK2649具备多项优异的电气与物理特性，使其成为中高功率开关应用中的理想选择。首先，其500V的高漏源击穿电压使其适用于多种离线式电源设计，例如AC-DC适配器和开关模式电源（SMPS），能够承受高压瞬态冲击并保持稳定运行。其次，该器件拥有较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值仅为0.65Ω，这有效降低了导通损耗，提高了整体能效，尤其在持续负载条件下表现突出。此外，2SK2649采用了优化的硅芯片设计，确保了良好的跨导和快速的开关响应速度，从而减少了开关过程中的能量损耗，支持高频工作模式下的高效转换。
　　该MOSFET还具备出色的热性能和可靠性。其最大功耗可达50W，结合TO-220封装良好的热传导特性，可通过外接散热片有效散发工作热量，防止过热损坏。器件的栅极结构经过强化设计，具有较高的抗静电放电（ESD）能力，并能耐受一定的栅极过压情况，提升了使用安全性。同时，内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少在感性负载切换时产生的电压尖峰，降低电磁干扰（EMI）风险。
　　另一个关键特性是其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），使其可在极端环境下可靠运行，适用于工业自动化设备、户外电源系统以及车载辅助电源等对环境适应性要求较高的应用场景。此外，2SK2649符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。总体而言，这些特性共同构成了一个高性能、高可靠性的功率MOSFET解决方案。

2SK2649广泛应用于各类需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如台式电脑电源、服务器电源、LED驱动电源等，其中它作为主开关管或同步整流器件发挥重要作用。在DC-DC转换器中，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）拓扑结构中，2SK2649凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升了转换效率并减少了热耗散。此外，该器件也常用于逆变器电路，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源系统中，用于实现直流到交流的能量转换。
　　在工业控制领域，2SK2649可用于电机驱动电路，尤其是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动模块中，作为功率开关元件控制电流方向与通断。其高电流承载能力和耐压特性确保了电机启动和运行过程中的稳定性。另外，在照明系统中，特别是高强度气体放电灯（HID）镇流器或大功率LED照明模块中，2SK2649可作为功率调节开关，实现精确的亮度控制与节能运行。
　　该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，或者作为电子负载、加热控制系统中的功率调节元件。由于其封装形式为TO-220，易于安装与维护，因此在原型开发和批量生产中均具有良好的适用性。总之，2SK2649凭借其综合性能优势，在消费电子、工业设备、通信电源及汽车电子等多个领域均有广泛应用。

2SK2648
　　2SK2650
　　K2544
　　IRFBC40
　　STP5NK50Z