类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（Id）：连续：4A，脉冲：16A
　　漏源极耐压（Vds）：60V
　　栅源极耐压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大30mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）或SOP

2SK2644具备多项优异特性，包括低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其导通电阻典型值为30mΩ，在大电流应用中表现出色。此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源极耐压（Vds）为60V，适用于中高功率的电源转换系统。器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V和12V驱动电压，便于与各类驱动器配合使用。
　　2SK2644的热稳定性良好，具备较高的热阻（Rth）能力，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式为TO-252（DPAK）或SOP，具有良好的散热性能，适用于需要紧凑布局的电路设计。此外，该器件的开关速度快，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。
　　该MOSFET还具备较强的过载能力，可在短时间内承受较大的漏极电流，适用于需要瞬时高功率输出的场合。其栅极氧化层设计坚固，具有良好的抗静电能力和稳定性，能够有效防止栅极击穿，提高器件的可靠性和使用寿命。

2SK2644广泛应用于各类电子设备中的功率管理电路中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源以及电源适配器等。由于其具备低导通电阻和高电流能力，该器件在便携式电子产品、通信设备、工业自动化和消费类电子产品中均有广泛应用。
　　在DC-DC转换器中，2SK2644常用于高边或低边开关，配合同步整流MOSFET实现高效率的电压转换。在负载开关应用中，它用于控制电源的通断，保护电路免受过载和短路影响。在电机控制电路中，2SK2644可用于驱动直流电机或步进电机，实现精确的速度和方向控制。此外，该MOSFET也适用于LED背光驱动和照明系统的电源管理。

2SK3018, 2SK2696, Si4410DY