VNS3NV04DP-E 时间：2025/7/18 17:38:33 阅读：11

VNS3NV04DP-E 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和快速的开关性能，适用于各种电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：7.7A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.2V ~ 2.5V
　　最大功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8 双散热焊盘

特性

VNS3NV04DP-E 具备多项高性能特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。这对于电池供电设备和高能效电源转换器尤为重要。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得其在高频开关应用中具有优异的性能。快速的开关速度减少了开关损耗，适用于高频率 DC-DC 转换器、同步整流器等应用。
　　此外，VNS3NV04DP-E 的栅极阈值电压范围适中（1.2V ~ 2.5V），允许使用常见的逻辑电平驱动器直接控制，简化了驱动电路的设计。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）使其适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和可靠性，封装形式为 PowerPAK SO-8 双散热焊盘，能够有效降低热阻，提高散热效率，从而在高负载条件下保持稳定运行。

应用

VNS3NV04DP-E 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 电源管理：用于同步整流、负载开关和电源分配系统，提高系统能效并减少发热。
　　2. DC-DC 转换器：适用于降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构，提供高效率和紧凑的设计方案。
　　3. 电机控制：用于电机驱动电路，实现精确的速度和扭矩控制。
　　4. 电池管理系统（BMS）：用于保护和管理锂离子电池组的充放电过程。
　　5. 汽车电子：适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和其他汽车电源管理系统。