VNS3NV04DP-E 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻和快速的开关性能,适用于各种电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大漏极电流(Id):7.7A(在 25°C)
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(最大值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):1.2V ~ 2.5V
最大功耗(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:PowerPAK SO-8 双散热焊盘
VNS3NV04DP-E 具备多项高性能特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的效率。这对于电池供电设备和高能效电源转换器尤为重要。
其次,该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,使得其在高频开关应用中具有优异的性能。快速的开关速度减少了开关损耗,适用于高频率 DC-DC 转换器、同步整流器等应用。
此外,VNS3NV04DP-E 的栅极阈值电压范围适中(1.2V ~ 2.5V),允许使用常见的逻辑电平驱动器直接控制,简化了驱动电路的设计。同时,其宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)使其适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和可靠性,封装形式为 PowerPAK SO-8 双散热焊盘,能够有效降低热阻,提高散热效率,从而在高负载条件下保持稳定运行。
VNS3NV04DP-E 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 电源管理:用于同步整流、负载开关和电源分配系统,提高系统能效并减少发热。
2. DC-DC 转换器:适用于降压(Buck)、升压(Boost)和升降压(Buck-Boost)拓扑结构,提供高效率和紧凑的设计方案。
3. 电机控制:用于电机驱动电路,实现精确的速度和扭矩控制。
4. 电池管理系统(BMS):用于保护和管理锂离子电池组的充放电过程。
5. 汽车电子:适用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和其他汽车电源管理系统。
Si4410BDY-E3-GEVB, IRF7404, AO4406A, FDS4410A