您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > VNS3NV04DP-E

VNS3NV04DP-E 发布时间 时间:2025/7/18 17:38:33 查看 阅读:11

VNS3NV04DP-E 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻和快速的开关性能,适用于各种电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大漏极电流(Id):7.7A(在 25°C)
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(最大值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.2V ~ 2.5V
  最大功耗(Pd):2.5W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:PowerPAK SO-8 双散热焊盘

特性

VNS3NV04DP-E 具备多项高性能特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的效率。这对于电池供电设备和高能效电源转换器尤为重要。
  其次,该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,使得其在高频开关应用中具有优异的性能。快速的开关速度减少了开关损耗,适用于高频率 DC-DC 转换器、同步整流器等应用。
  此外,VNS3NV04DP-E 的栅极阈值电压范围适中(1.2V ~ 2.5V),允许使用常见的逻辑电平驱动器直接控制,简化了驱动电路的设计。同时,其宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)使其适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
  该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和可靠性,封装形式为 PowerPAK SO-8 双散热焊盘,能够有效降低热阻,提高散热效率,从而在高负载条件下保持稳定运行。

应用

VNS3NV04DP-E 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 电源管理:用于同步整流、负载开关和电源分配系统,提高系统能效并减少发热。
  2. DC-DC 转换器:适用于降压(Buck)、升压(Boost)和升降压(Buck-Boost)拓扑结构,提供高效率和紧凑的设计方案。
  3. 电机控制:用于电机驱动电路,实现精确的速度和扭矩控制。
  4. 电池管理系统(BMS):用于保护和管理锂离子电池组的充放电过程。
  5. 汽车电子:适用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和其他汽车电源管理系统。

替代型号

Si4410BDY-E3-GEVB, IRF7404, AO4406A, FDS4410A

VNS3NV04DP-E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

VNS3NV04DP-E参数

  • 其它有关文件VNS3NV04DP-E View All Specifications
  • 标准包装100
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列OMNIFET II™, VIPower™
  • 类型低端
  • 输入类型非反相
  • 输出数2
  • 导通状态电阻120 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道3.5A
  • 电流 - 峰值输出5A
  • 电源电压-
  • 工作温度-40°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件