时间：2025/7/16 17:02:11
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2SK2618ALS是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于电源管理和功率放大器应用。该器件设计用于高效率、高可靠性和高性能的开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等电路。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（最大）
功耗（Pd）：100W
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
2SK2618ALS具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该MOSFET具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的效率。其最大导通电阻为5.5mΩ，适用于高电流负载的应用。
其次，该器件的漏源电压（Vds）为30V，适用于中低电压功率转换系统，如电源管理单元和电池供电设备。栅源电压的最大额定值为±20V，使其在驱动电路中具有较高的灵活性和稳定性。
此外，2SK2618ALS支持高达100A的连续漏极电流，这使其非常适合用于高电流负载的场合，如电机驱动和功率放大器。该器件的封装设计具有良好的热性能，能够有效地将热量传导出去，从而保证长时间运行的可靠性。
该MOSFET的开关速度较快，能够在高频开关应用中提供良好的性能。这种特性使得它在DC-DC转换器、同步整流器和其他高频开关电路中表现出色。
最后，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子应用，能够在严苛的环境条件下保持稳定的工作性能。
2SK2618ALS广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、功率放大器以及汽车电子设备。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效率和高可靠性的功率控制场合。例如，在电动车辆的电源管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制；在工业自动化设备中，可用于电机驱动和负载切换；在通信设备中，可用于高效率的电源模块设计。
Si7461DP, IRF1404, AO4406A
