时间：2025/8/20 22:53:41
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2SK2596BXUL是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关速度，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。2SK2596BXUL采用SOP Advance功率封装，具备良好的散热性能，能够在较高功率下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：60A（最大值）
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（最大值，@VGS=10V）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP Advance（5引脚）
2SK2596BXUL具有多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽结构设计，提供更高的电流密度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。此外，该器件具备良好的热稳定性，其SOP Advance封装设计可提供更优的散热能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外，2SK2596BXUL的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动，兼容多种控制电路。其高耐压能力和出色的雪崩能量承受能力使其在恶劣工作环境下仍能保持较高的可靠性。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的电子设备。
2SK2596BXUL广泛应用于各种电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关以及高功率密度电源模块。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和启停系统中的功率控制模块。由于其高效率和高可靠性，它在工业自动化、服务器电源和通信设备电源管理中也得到了广泛应用。
SiR3460DP-T1-GE、IRF6723NTRPBF、FDMS7680、2SK3084BXUL
