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2SK2586 发布时间 时间:2025/9/7 18:11:42 查看 阅读:9

2SK2586是一种N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高频开关和功率放大应用。该器件采用先进的硅工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。适用于各种电子设备,如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和射频放大器等。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:50A
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):28mΩ(典型值)
  最大功耗:150W
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

2SK2586具有多个显著特性,使其在多种应用中表现出色。首先,低导通电阻确保了在高电流条件下较低的功率损耗,提高了整体效率。其次,该器件具有快速开关能力,适合高频应用,减少开关损耗并提高系统响应速度。此外,2SK2586的热稳定性良好,能够在高温环境下保持稳定性能,延长器件使用寿命。其封装设计也便于散热,确保长时间运行的可靠性。最后,2SK2586具有较高的抗静电能力,降低了在使用过程中因静电放电而损坏的风险。

应用

2SK2586主要用于高频电源转换、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、射频放大器以及各种需要高效功率开关的电子设备。其优异的性能使其成为工业控制、汽车电子和消费电子产品中的理想选择。

替代型号

2SK2586可替代的型号包括IRFZ44N、2SK2584、2SK2585和Si444N。这些型号在某些参数上可能略有不同,使用时需根据具体需求进行匹配。

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