时间：2025/7/29 18:01:37
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SIRP1608X09-H5 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率密度和高效能应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，使其在电源管理和电机控制等应用中表现出色。SIRP1608X09-H5 采用 TO-263 封装（也称为 D2PAK），具有良好的热性能和功率处理能力。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 (Vds)：60V
栅源电压 (Vgs)：±20V
漏极电流 (Id)：180A（Tc）
导通电阻 (Rds(on))：最大 0.8mΩ（在 Vgs=10V）
功耗 (Pd)：320W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-263（D2PAK）
栅极电荷 (Qg)：160nC（典型值）
输入电容 (Ciss)：4000pF（典型值）
开启阈值电压 (Vgs(th))：2V 至 4V
SIRP1608X09-H5 MOSFET 具有多种优异特性，使其适用于高要求的电源管理应用。首先，该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流条件下最小的功率损耗，提高系统效率。其次，采用先进的沟槽技术，使得该 MOSFET 在高速开关应用中表现出色，降低了开关损耗并提高了响应速度。
此外，SIRP1608X09-H5 采用 TO-263（D2PAK）封装，具有出色的散热性能，能够在高功率环境下稳定运行。其高电流处理能力（高达 180A）使其适用于大功率电源转换器、电机驱动器和负载开关等应用。
该 MOSFET 还具有较强的热稳定性，可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内可靠工作，适应工业级和汽车级环境。栅极电荷（Qg）为 160nC，适合用于高频开关电路，减少驱动损耗，提高整体系统性能。
SIRP1608X09-H5 广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、负载开关、电池管理系统以及汽车电子系统（如电动助力转向、车载充电器等）。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择。
SiR160DP, IRFP1608PBF, IPW60R008K
