型号：2SK2580
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：500V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID：7A
　　脉冲漏极电流IDM：28A
　　功耗PD：100W
　　导通电阻RDS(on)：0.55Ω（最大值，典型测试条件）
　　阈值电压VGS(th)：4V～6V
　　输入电容Ciss：1100pF（典型值，VDS=25V）
　　输出电容Coss：350pF（典型值）
　　反向传输电容Crss：60pF（典型值）
　　栅极电荷Qg：60nC（典型值，VGS=10V）
　　上升时间tr：100ns
　　下降时间tf：60ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C 至 +150°C

2SK2580具备多项关键特性，使其成为中高功率开关应用中的理想选择。首先，其500V的高漏源击穿电压允许该器件适用于多种离线式开关电源设计，包括AC-DC适配器和SMPS（开关模式电源）。在实际操作中，即使面对电网波动或瞬态浪涌，该MOSFET也能维持稳定工作，确保系统安全。
　　其次，2SK2580的低导通电阻（RDS(on) ≤ 0.55Ω）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，并减少了对散热系统的要求，有助于实现更紧凑的设计。这一特性对于追求高能效和小型化的现代电子设备尤为重要。
　　第三，该器件拥有较快的开关速度，得益于其优化的栅极结构和较低的寄生电容（如Ciss、Crss），使得在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗。这对于提升DC-DC变换器的工作频率、减小滤波元件体积非常有利。
　　此外，2SK2580内置一定的抗雪崩能量承受能力，意味着在发生电感负载突然断开或短路故障时，器件能够吸收一定的反向能量而不致损坏，从而增强整个电路的鲁棒性。这种坚固性使其更适合用于电机驱动、照明镇流器等存在较大电磁干扰的环境。
　　最后，该MOSFET采用成熟的TO-220封装，具备良好的热传导性能，可通过外接散热片有效散发工作过程中产生的热量，保证长期运行的可靠性。同时，其引脚排列符合行业标准，兼容性强，便于在已有设计中替换升级。这些综合优势使2SK2580成为许多工程师在中等功率段首选的MOSFET之一。

2SK2580主要应用于各类需要高效、高压开关功能的电力电子系统中。最常见的使用场景是开关模式电源（SMPS），例如用于台式计算机、电视机、打印机等消费类电子产品的AC-DC电源模块。在此类应用中，它通常作为主开关管工作在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中，负责将整流后的高压直流电转换为高频交流信号，再经变压器降压整流输出稳定低压直流电。
　　此外，该器件也常用于DC-DC转换器中，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）或半桥式拓扑中，作为核心功率开关元件参与能量传递与调节过程。这类应用常见于工业电源、LED驱动电源及电信设备供电单元。
　　在照明领域，2SK2580可用于电子镇流器电路中，驱动荧光灯或其他气体放电灯，通过高频交流激励提升发光效率并消除闪烁现象。
　　另外，在电机控制、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，该MOSFET也可作为桥式电路的一部分，执行快速通断操作以生成所需的交流波形或进行能量回馈控制。
　　由于其具备较高的耐压能力和较好的热稳定性，2SK2580还适用于一些工业自动化设备中的功率控制模块，如继电器驱动、电磁阀控制等场合。总之，只要涉及数百伏级电压切换与数安培级别电流承载的应用，2SK2580都是一种成熟可靠的解决方案。

2SK2581, 2SK2582, 2SK2642, 2SK2990, 2SK3063