时间：2025/11/8 3:34:43
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RTQ025P02TL是一款由Richtek（立锜科技）推出的高性能、高可靠性N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换和负载开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具备低导通电阻、优异的热性能以及快速开关能力，适用于多种便携式电子设备、电源管理系统及DC-DC转换器等应用场景。RTQ025P02TL在小尺寸封装下实现了出色的电气性能，能够在有限的空间内提供高效的功率控制解决方案。其主要特点包括极低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），有助于减少开关损耗，提升系统整体效率。此外，该MOSFET具有良好的雪崩能量耐受能力和坚固的封装结构，可在严苛的工作环境中稳定运行。器件符合RoHS环保标准，并通过了严格的可靠性测试，确保长期使用的稳定性与安全性。RTQ025P02TL广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机、电池管理系统、热插拔控制器以及各种需要高效能开关功能的工业与消费类电子产品中。
型号：RTQ025P02TL
制造商：Richtek (立锜科技)
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：25V
最大连续漏极电流(ID)：13A @ 25°C
最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：52A
最大栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ @ VGS = 10V, ID = 6.5A
导通电阻(RDS(on))：11mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 6.5A
栅极电荷(Qg)：9nC @ VDS = 15V, ID = 6.5A
输入电容(Ciss)：570pF @ VDS = 15V
输出电容(Coss)：205pF @ VDS = 15V
反向恢复时间(trr)：15ns
工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN3x3-8
RTQ025P02TL采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为8.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅为11mΩ，这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长续航时间。该器件的低RDS(on)还意味着在相同电流条件下发热更少，有助于简化散热设计，甚至在某些应用中可省去额外的散热措施。
该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），分别为9nC和2.5nC左右（典型值），这使得它在高频开关应用中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需的功耗更低，同时可以实现更快的开关速度，从而大幅降低开关过程中的动态损耗。这对于提高DC-DC转换器、同步整流器等高频电源拓扑的效率至关重要。此外，快速的开关响应也有助于减小外部滤波元件的尺寸，进而缩小整体电源模块的体积。
RTQ025P02TL具备优良的热性能，其DFN3x3-8封装具有较小的热阻（RθJC约3°C/W），能够有效地将芯片产生的热量传导至PCB，提升了功率密度和长期工作的可靠性。该封装无引脚设计不仅节省空间，而且有利于自动化贴装，适合高密度SMT生产工艺。
器件还内置了较强的ESD防护能力，并具备良好的抗雪崩击穿性能，能够在瞬态过压或负载突变等异常工况下保持稳定，增强了系统的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种恶劣环境下的工业级应用。整体而言，RTQ025P02TL是一款集低损耗、高效率、高可靠性和紧凑封装于一体的先进功率MOSFET，是现代高效电源管理系统的理想选择之一。
RTQ025P02TL广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中，尤其适用于移动终端设备中的电源管理单元。常见应用包括智能手机、平板电脑和超薄笔记本电脑中的电池充放电管理电路，作为负载开关用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能与系统保护。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件常被用作同步整流开关管，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率，减少发热。此外，它也适用于USB电源开关、热插拔控制器、LED背光驱动电路以及小型电机驱动等场景。在工业控制领域，可用于传感器电源控制、嵌入式控制系统和便携式仪器仪表的电源模块设计。由于其优异的热性能和高电流承载能力，RTQ025P02TL也能胜任多相VRM（电压调节模块）中的一部分开关任务，支持高性能处理器的供电需求。整体上，凡是需要在小尺寸封装下实现大电流、低损耗开关控制的应用，都是RTQ025P02TL的理想使用场合。
SiSS025DN-T1-GE3,Renesas HAT2025W,ON Semiconductor NTD25P02R2G
