型号：2SK2562
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压Vds：600 V
　　栅源电压Vgs：±30 V
　　连续漏极电流Id：7 A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流Idm：28 A
　　导通电阻Rds(on)：0.36 Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压Vgs(th)：3.0 ~ 5.0 V
　　输入电容Ciss：1100 pF（@Vds=25V）
　　输出电容Coss：190 pF（@Vds=25V）
　　反向传输电容Crss：40 pF（@Vds=25V）
　　栅极电荷Qg：50 nC（@Vgs=10V, Id=7A）
　　最大功耗Pd：50 W
　　工作结温范围Tj：-55 ~ +150 ℃
　　封装形式：TO-252 (DPak)

2SK2562具备多项优异的电气和物理特性，使其成为中高功率开关应用中的理想选择。首先，其高达600V的漏源击穿电压使得该器件能够在高压环境中稳定运行，适用于离线式开关电源设计，尤其是在AC-DC转换器中表现突出。其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)典型值为0.36Ω，在同类器件中处于较低水平，这意味着在导通状态下能量损耗更小，从而提高了整体系统效率，并减少了散热需求。
　　该器件采用了东芝成熟的沟槽栅极工艺技术，这种结构不仅提升了载流子迁移率，还有效降低了单位面积的导通电阻，同时优化了开关过程中的电场分布，增强了器件的可靠性和耐久性。此外，2SK2562具有较快的开关速度，得益于其较低的栅极电荷（Qg=50nC）和合理的输入/输出电容匹配，这使得它在高频操作下仍能保持较低的开关损耗，有利于实现更高的转换频率和更紧凑的磁性元件设计。
　　另一个显著特点是其良好的热性能。TO-252封装具备较强的散热能力，配合适当的PCB布局和散热设计，可有效将芯片结温控制在安全范围内。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应各种严苛环境条件下的长期运行。此外，2SK2562内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，适用于某些需要续流路径的应用场景，如感性负载驱动。
　　值得一提的是，该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和dv/dt耐受性，能够在突发过压或负载突变的情况下维持稳定工作，减少因电压尖峰导致的失效风险。这些综合特性使2SK2562不仅适用于常规电源拓扑（如反激、正激、半桥等），也能胜任电机控制、照明电源及工业电源模块等多种应用场景。

2SK2562主要应用于各类需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），特别是用于适配器、充电器和开放式电源单元中的主开关器件。在这些应用中，2SK2562常被用作反激变换器或正激变换器的初级侧开关，凭借其高耐压和低导通电阻特性，能够有效提升电源的整体转换效率并降低温升。
　　此外，该器件也广泛用于DC-DC转换器中，特别是在隔离型或非隔离型降压（Buck）、升压（Boost）及反激（Flyback）拓扑结构中作为功率开关使用。在工业自动化领域，2SK2562可用于小型电机驱动电路或电磁阀控制模块中，实现对负载的快速响应和精确控制。
　　在照明电子方面，尤其是LED驱动电源设计中，2SK2562因其高效率和良好动态响应能力而受到青睐，适用于恒流输出控制方案。同时，它也被应用于UPS不间断电源、逆变器以及家用电器（如空调、洗衣机）的内部电源管理模块中。
　　由于其封装形式为TO-252，便于自动化贴片生产且具有较好的散热性能，因此非常适合现代高密度、小型化电子产品的需求。无论是在消费类电子产品还是工业级设备中，2SK2562都能提供可靠的功率控制解决方案，确保系统的稳定运行和长寿命。

2SK2560, 2SK2561, STP7NK60ZFP, FQP7N60L, IRFBC40