2SK2521-01 时间：2025/8/9 14:46:28 阅读：29

2SK2521-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频开关应用和功率放大器电路。该器件采用高密度单元设计，提供较低的导通电阻和优异的高频特性，适用于需要高效率和快速开关性能的电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：1.5A
　　最大漏源电压：50V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.5Ω（在Vgs=10V时）
　　耗散功率：100mW
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：SOT-323（SC-70）
　　增益带宽积（GBW）：高达100MHz
　　漏电流（在Vds=50V时）：≤10μA
　　栅极电荷：约10pC

特性

2SK2521-01具有低导通电阻特性，有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。其高频性能使其非常适合用于射频（RF）放大器和高速开关电路。
　　此外，该MOSFET采用了小型SOT-323封装，适合在空间受限的设计中使用。这种封装还具有良好的热稳定性和机械强度。
　　该器件的栅极驱动要求较低，能够在较低的栅极电压下实现高效的导通状态，这对于电池供电设备或低电压系统非常有利。
　　2SK2521-01具有良好的抗静电性能和过热保护能力，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。

应用

2SK2521-01广泛应用于便携式电子产品、无线通信设备、射频功率放大器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逻辑驱动电路。由于其优异的高频响应特性，该器件常用于调制解调器、无线模块和射频发射电路中。
　　此外，该MOSFET还可用于音频放大器、LED驱动电路和低功耗电机控制应用。在需要高频率和低功耗的数字逻辑电路中，2SK2521-01也是一款理想的开关元件。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件常用于电源管理模块和信号切换电路。