2SK2521-01是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高频开关应用和功率放大器电路。该器件采用高密度单元设计,提供较低的导通电阻和优异的高频特性,适用于需要高效率和快速开关性能的电子设备。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流:1.5A
最大漏源电压:50V
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):≤3.5Ω(在Vgs=10V时)
耗散功率:100mW
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOT-323(SC-70)
增益带宽积(GBW):高达100MHz
漏电流(在Vds=50V时):≤10μA
栅极电荷:约10pC
2SK2521-01具有低导通电阻特性,有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。其高频性能使其非常适合用于射频(RF)放大器和高速开关电路。
此外,该MOSFET采用了小型SOT-323封装,适合在空间受限的设计中使用。这种封装还具有良好的热稳定性和机械强度。
该器件的栅极驱动要求较低,能够在较低的栅极电压下实现高效的导通状态,这对于电池供电设备或低电压系统非常有利。
2SK2521-01具有良好的抗静电性能和过热保护能力,增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
2SK2521-01广泛应用于便携式电子产品、无线通信设备、射频功率放大器、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和逻辑驱动电路。由于其优异的高频响应特性,该器件常用于调制解调器、无线模块和射频发射电路中。
此外,该MOSFET还可用于音频放大器、LED驱动电路和低功耗电机控制应用。在需要高频率和低功耗的数字逻辑电路中,2SK2521-01也是一款理想的开关元件。
在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,该器件常用于电源管理模块和信号切换电路。
2SK3018, 2SK2605, 2SK3916, 2N3904