2SK2460是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,适用于高频率开关应用和高功率处理场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和LED照明等领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):200V
最大漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):约0.35Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压(VGS(th)):1.5V ~ 3.5V
最大功率耗散(PD):80W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-220AB
2SK2460具有多项优异特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET具备较高的耐压能力,最大漏源电压可达200V,适用于中高压电源系统。此外,其高电流容量(10A)支持较大负载的驱动能力,适用于多种功率转换电路。该器件的封装形式为TO-220AB,具备良好的散热性能,适合在高功率环境下稳定运行。2SK2460还具备快速开关特性,减少开关损耗,提高整体系统性能。其栅极阈值电压较低,易于通过标准驱动电路控制。综合来看,2SK2460在性能、可靠性和封装设计上均表现出色,是一款适用于多种功率电子应用的理想选择。
此外,该器件在高温环境下仍能保持稳定工作,其工作温度范围从-55°C到150°C,确保在极端条件下仍能正常运行。2SK2460还具有良好的抗热击穿能力,提升了其在恶劣工况下的可靠性。这些特性使得它在工业控制、汽车电子、消费类电源和LED驱动等应用中得到了广泛应用。
2SK2460广泛应用于各类功率电子设备中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明调光系统、电池管理系统(BMS)、逆变器、不间断电源(UPS)以及工业自动化控制设备。此外,由于其优异的开关性能和较高的耐压能力,该MOSFET也适用于高频谐振变换器和功率因数校正(PFC)电路。在消费电子和工业设备中,2SK2460常用于负载开关、电源管理模块以及高效率电源转换系统中。
2SK2460的替代型号包括:2SK2648、2SK2013、IRF540N、FQP10N20、STP10NM20、SiHHK2460-E3