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2SK2369 发布时间 时间:2025/7/22 12:15:05 查看 阅读:6

2SK2369是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由东芝公司生产。该器件设计用于高频率和高功率应用,具有低导通电阻、快速开关特性和高耐用性。由于其良好的热稳定性和高效能,2SK2369广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和射频功率放大器等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:12A
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.035Ω @ Vgs=10V
  栅极电荷:28nC
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220

特性

2SK2369具备多项优良的电气和物理特性,使其在多种应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,该器件的快速开关特性支持高频操作,使其适用于高效率开关电源和电机控制电路。此外,2SK2369采用TO-220封装,具有良好的散热性能,确保在高功率条件下的稳定运行。该MOSFET还具备高抗静电能力和良好的热稳定性,使其在严苛环境中也能保持可靠的性能。

应用

2SK2369适用于多种高功率和高频应用。在电源管理领域,该器件可用于DC-DC转换器、稳压器和开关电源。在工业控制方面,2SK2369可用于电机驱动器和逆变器电路。此外,该MOSFET还常用于音频功率放大器和射频功率放大器,提供高效的信号放大功能。由于其高可靠性和耐用性,2SK2369也广泛应用于汽车电子系统和不间断电源(UPS)设备。

替代型号

2SK2369的替代型号包括IRFZ44N、2SK2647和SiHF60N06。

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