2SK2369 时间：2025/7/22 12:15:05 阅读：6

2SK2369是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝公司生产。该器件设计用于高频率和高功率应用，具有低导通电阻、快速开关特性和高耐用性。由于其良好的热稳定性和高效能，2SK2369广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和射频功率放大器等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：12A
　　最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷：28nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK2369具备多项优良的电气和物理特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的快速开关特性支持高频操作，使其适用于高效率开关电源和电机控制电路。此外，2SK2369采用TO-220封装，具有良好的散热性能，确保在高功率条件下的稳定运行。该MOSFET还具备高抗静电能力和良好的热稳定性，使其在严苛环境中也能保持可靠的性能。

应用

2SK2369适用于多种高功率和高频应用。在电源管理领域，该器件可用于DC-DC转换器、稳压器和开关电源。在工业控制方面，2SK2369可用于电机驱动器和逆变器电路。此外，该MOSFET还常用于音频功率放大器和射频功率放大器，提供高效的信号放大功能。由于其高可靠性和耐用性，2SK2369也广泛应用于汽车电子系统和不间断电源（UPS）设备。