类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：100mA（连续）
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　导通电阻（Rds(on)）：约5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23

2SK2322S MOSFET具备多项优异特性，使其在众多应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的最小功率损耗，从而提高能效并减少热量产生。其次，该器件的高电压耐受能力达到60V，适合多种中低功率应用。此外，其最大栅源电压为±20V，提供了良好的栅极驱动灵活性。
　　在封装方面，2SK2322S采用SOT-23封装，这是一种小型表面贴装封装形式，非常适合在高密度PCB布局中使用。该封装不仅节省空间，还便于自动化装配和焊接，提高了生产效率。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其在极端温度环境下仍能保持稳定运行，适用于工业和汽车等严苛环境中的应用。此外，2SK2322S具有较高的开关速度，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、负载开关和信号切换等应用，有助于减少外部滤波元件的尺寸和成本。
　　由于其增强型特性，2SK2322S在零栅极电压下处于关闭状态，这简化了电路设计并减少了静态功耗。它还具备良好的抗静电能力，提高了器件在制造和使用过程中的可靠性。

2SK2322S MOSFET适用于多种中低功率电子应用。常见应用包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC转换器、LED驱动电路、电源管理模块、传感器接口电路以及各种小型电子设备中的信号切换功能。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和穿戴设备中，该器件可用于控制电源分配，提高能效并延长电池寿命。此外，它也适用于汽车电子系统中的低功率控制电路，如车灯控制、传感器信号处理等。由于其小尺寸封装和高可靠性，2SK2322S也常用于工业自动化设备中的信号处理和电源切换电路。

2SK2323S, 2SK2321S, FDV301N, 2N7000, BSS138