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2SK2315 发布时间 时间:2025/5/30 12:53:13 查看 阅读:10

2SK2315是一种N沟道场效应晶体管(MOSFET),主要用于高频和高功率放大器的应用。该器件具有低噪声和高增益的特性,非常适合于射频和微波领域的应用。
  2SK2315属于双极型硅晶体管系列,其设计旨在满足高性能射频电路的需求。由于其卓越的性能参数和可靠性,它在业余无线电、专业通信设备以及实验性电子项目中得到了广泛应用。

参数

最大耗散功率:40W
  漏源击穿电压:80V
  栅源击穿电压:±30V
  漏极电流:4A
  跨导:2700μS
  输入电容:35pF
  工作频率范围:DC-400MHz

特性

2SK2315以其出色的高频特性和稳定性著称。这种器件拥有非常低的噪声系数,能够有效减少信号失真,同时保持较高的增益水平。
  此外,2SK2315在宽广的工作频率范围内表现出色,适合用于各种射频放大器设计。它的线性度和动态范围也十分优秀,适用于对信号质量要求极高的场景。
  由于其坚固的设计和高质量制造工艺,该器件能够在较为恶劣的环境条件下稳定运行,这也使其成为许多专业级射频设备的理想选择。

应用

2SK2315主要应用于射频和微波放大器中,尤其是在高频段的功率放大器领域。
  具体来说,它可以被用作:
  - 业余无线电发射机中的驱动或末级功率放大器
  - 商业无线通信系统中的射频功率模块
  - 测试与测量设备中的信号增强组件
  - 实验室研究中的高性能放大器元件
  总之,任何需要在高频条件下实现高效率和低失真的场合,都可以考虑使用2SK2315。

替代型号

2SC3649
  2SC3890
  MOSFET IRF510

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