时间：2025/8/9 11:39:25
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2SK2257-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频放大和开关应用。这款晶体管具有较高的工作频率范围和较低的导通电阻，适用于射频（RF）放大器、功率放大器、电源管理电路以及各种高频电子设备中。作为一款常用的分立MOSFET器件，2SK2257-01因其高可靠性和稳定的性能表现，被广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：150mA
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：50Ω（最大）
过渡频率：100MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-92（三引脚直插式）
2SK2257-01 MOSFET具有多项优良的电气特性，首先其高过渡频率（fT）达到100MHz，使其非常适合用于高频放大电路，如射频前置放大器和信号放大器。其次，该器件具有较低的漏极截止电流（IDSS），在常温下典型值仅为0.1μA，有助于降低静态功耗，提高电路效率。
该MOSFET的栅极采用了增强型结构设计，具有良好的栅控能力，能够在较小的栅极电压下实现有效的导通和截止，提高了开关速度和控制精度。此外，2SK2257-01的封装采用TO-92形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于多种PCB安装方式。
该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，具有良好的温度适应性和稳定性，适用于各种严苛环境下的电子系统。其最大漏源电压（VDS）为20V，最大栅源电压（VGS）为±20V，具有较高的电压耐受能力，适用于多种低压电源管理应用。
此外，2SK2257-01的导通电阻（Rds(on)）典型值为50Ω，虽然相对较高，但在小电流应用中仍能保持良好的效率，适合用于信号切换、低功率放大和逻辑控制电路。
2SK2257-01 MOSFET广泛应用于多个电子领域。在射频和通信领域，它常用于射频放大器、信号放大器和调制解调电路，作为高频信号的放大元件。在消费电子产品中，如收音机、无线遥控器、音频放大器等设备中，2SK2257-01可作为音频信号放大器或功率开关元件。
在工业控制和自动化系统中，该MOSFET可用于传感器信号放大、逻辑控制电路以及小型开关电源中的低功耗开关器件。此外，2SK2257-01也常用于电池供电设备、低功耗电子设备以及各种逻辑电平转换电路中，具有良好的稳定性和节能效果。
由于其高频率特性和小封装形式，2SK2257-01也非常适合用于各类便携式电子设备，如无线耳机、无线麦克风、蓝牙模块、遥控玩具等，作为信号放大或开关控制的核心元件。
2SK2256-01, 2SK2258-01, 2N5484, BF245C
