时间：2025/8/9 11:40:12
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2SK2256-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用和功率放大器设计。该器件采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于射频（RF）放大器、DC-DC转换器、电机控制以及各种高频功率电子设备。2SK2256-01通常封装在TO-220或类似的大功率封装中，便于散热并支持较高的工作电流。
类型：N沟道MOSFET
技术：HEMT
最大漏源电压（Vds）：500V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：3A
导通电阻（Rds(on)）：约1.5Ω（典型值）
最大功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
2SK2256-01具有多项优异的电气和物理特性，首先其采用HEMT技术，使得该MOSFET在高频应用中表现出色，具有极低的导通损耗和快速的开关响应时间。其最大漏源电压为500V，适用于中高压电源转换系统，例如开关电源（SMPS）和逆变器。导通电阻约为1.5Ω，使得在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了整体效率。
此外，该器件的最大连续漏极电流为3A，能够在相对较高的电流下稳定工作。封装采用TO-220形式，具有良好的散热性能，适用于需要长时间连续工作的工业级应用。栅极驱动电压范围宽广（±30V），使其兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
2SK2256-01还具备出色的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下维持稳定运行，适用于环境温度较高的工业和汽车电子系统。
2SK2256-01广泛应用于高频功率电子系统，如射频（RF）放大器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动电路。它也常用于LED照明驱动器、电池充电器以及工业自动化设备中的电源模块。由于其高耐压和良好的热性能，该器件在要求高可靠性的应用中表现出色，如通信设备、测试仪器和消费类电子产品的功率控制部分。
2SK2255-01, 2SK2646, 2SK1530
