时间：2025/4/28 18:30:08
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NSR01F30NXT5G 是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种功率转换和电源管理应用。其封装形式为SOT-263（DPAK），能够提供出色的散热性能。
这款MOSFET的工作电压范围高达30V，非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等场景。由于其优化的动态和静态性能，能够在高频开关应用中实现高效能表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷（典型值）：12nC
输入电容（典型值）：110pF
总功耗：1.3W
工作结温范围：-55℃至175℃
NSR01F30NXT5G具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
5. 优异的热稳定性和可靠性，确保在高温环境中的长期运行。
6. 小型化封装，节省PCB空间的同时保持良好的散热性能。
该芯片广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 负载开关
4. 电机驱动电路
5. 工业控制和自动化系统
6. 消费类电子产品中的电源管理模块
7. 通信设备中的信号调节与功率处理
NTMFS4836N
FDP5500
IRLML6402
