2SK2255-01MR 时间：2025/8/9 17:33:27 阅读：13

2SK2255-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET，适用于高频和高效率的电源应用。该MOSFET具有较低的导通电阻和优异的开关特性，使其适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等应用场景。该器件采用小型表面贴装封装，便于在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：50mA
　　最大漏-源电压(Vds)：30V
　　最大栅-源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω（典型值）
　　最大功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-323（小型表面贴装封装）

特性

2SK2255-01MR MOSFET具备多项优良特性，包括低导通电阻、快速开关响应以及高稳定性的设计。由于其导通电阻仅为1.2Ω，因此在低电流应用中能够有效降低功耗，提高系统效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许在不同的驱动条件下稳定工作，同时具备良好的抗过载能力。此外，该MOSFET采用了小型SOT-323封装，使得其适用于高密度PCB布局，并且易于实现自动化生产。
　　在高频应用中，2SK2255-01MR展现出优异的性能，其低输入电容和快速的上升/下降时间，有助于减少开关损耗并提高整体电路效率。此外，该器件的热稳定性良好，能够在高温环境下长时间稳定运行，从而提高了系统的可靠性。
　　对于便携式设备和低功耗设计，该MOSFET的低功耗特性可以有效延长电池寿命，适用于电池供电设备、无线传感器节点、微型电机驱动器等应用。其表面贴装封装也支持回流焊工艺，适用于现代电子制造流程。

应用

2SK2255-01MR MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：低功率开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电路、微型电机控制、电池管理系统、无线充电设备、便携式电子产品以及工业自动化控制电路等。
　　在消费电子领域，该器件常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中的电源管理模块，用于实现高效能的电能转换和管理。
　　在工业领域，2SK2255-01MR可用于驱动小型继电器、传感器、执行器等设备，适用于自动化控制、智能仪表和嵌入式系统中。
　　此外，该MOSFET还可用于RF电路中的开关元件，适用于无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi模块等应用场景。